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      LCR數(shù)字電橋是用來(lái)測(cè)量電感、電容、電阻參量的儀器，通常包含Z，Y，θ，Rs，Rp，X，G，B，Ls，Lp，Cs，Cp，Q，D等測(cè)量項(xiàng)目，為何要測(cè)量阻抗呢？今天邁昂測(cè)試就給大家科普一下LCR數(shù)字電橋：

在具有電阻、電感和電容的電路里，對(duì)電路中的電流所起的阻礙作用叫做阻抗。無(wú)論是數(shù)字電路工程師還是射頻工程師，都是在關(guān)注各類(lèi)器件的阻抗，例如在音響器材中，阻抗是常常提及的重要基本參數(shù)。

    阻抗常用Z表示，是一個(gè)復(fù)數(shù)，實(shí)部稱(chēng)為電阻，虛部稱(chēng)為電抗，其中電容在電路中對(duì)交流電所起的阻礙作用稱(chēng)為容抗，電感在電路中對(duì)交流電所起的阻礙作用稱(chēng)為感抗，電容和電感在電路中對(duì)交流電引起的阻礙作用總稱(chēng)為電抗。

最早的阻抗測(cè)量用的是電橋方法，如圖，隨著現(xiàn)代模擬和數(shù)字技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)代阻抗測(cè)量大都使用自動(dòng)平衡電橋法，不僅測(cè)出阻抗，還可以直接顯示L-Q,C-D,R-D和Z-Q電感電容值基本參數(shù)等。

LCR數(shù)字電橋根據(jù)被測(cè)器件是否需要直流偏置，選配偏壓盒、偏流盒；

當(dāng)需要測(cè)試帶有直流偏置的元器件時(shí)，例如二極管的導(dǎo)通電容，需要加偏壓測(cè)試；類(lèi)似的，在需要加直流電流偏置時(shí)，可以選用偏流盒；

電感器的品質(zhì)因子Q是表明器件接近純電抗的程度，品質(zhì)因子越大，說(shuō)明電抗的絕對(duì)值越大，實(shí)部串聯(lián)電阻越小，能量損耗小。

相對(duì)于電容器來(lái)說(shuō)，表示純度的這一項(xiàng)通常用耗散因素(D)，D=1/Q；因此D越小，電容容抗越大，效能越好。

為了降低鐵心材料的非線形，測(cè)電感一般用大內(nèi)阻100歐姆，降低測(cè)試信號(hào)電平；為了與其他家型號(hào)的測(cè)試儀進(jìn)行數(shù)據(jù)對(duì)比，必須保證與其有相同的信號(hào)源內(nèi)阻模式。其他阻抗為可提供的選擇，與廠家規(guī)定的內(nèi)阻測(cè)試條件一致即可。

30Ω可類(lèi)比于：CH107X/GR1689
100Ω可類(lèi)比于：HP4284A/E4980A/Chroma3250
10Ω/CC可類(lèi)比于：CH106X/WK3245
50Ω可類(lèi)比于：HK3532
除此之外，10/100內(nèi)阻模式：當(dāng)使用者需要用100kHz測(cè)量1uF~10uF的CBB的損耗時(shí)，可以使用這種內(nèi)阻模式，可以提高測(cè)量結(jié)果特別是損耗因子的穩(wěn)定性。

4、為什么說(shuō)LCR電橋很難測(cè)高Q和低D器件，比如說(shuō)MLCC片式多層陶瓷電容器？
LCR電橋Q值和D值測(cè)量是依據(jù)如下圖原理公式計(jì)算得來(lái)：
假定Q=10，0則ESR為1/100的XL。由此可見(jiàn)，ESR在Z=ESR+j*X中L占的分量比較小，所以?xún)x器或測(cè)量環(huán)境引起ESR微弱的變化都會(huì)被放大100倍，反應(yīng)出的現(xiàn)象就是：Q值穩(wěn)定性不好或測(cè)量數(shù)據(jù)跳動(dòng)較大。同樣的道理也適用于電容D的測(cè)量。

使用者能做的就是盡量選擇好一點(diǎn)的測(cè)試夾具改善效果，原則：能用0m的不要用1m的，能用4端測(cè)量不要用2端測(cè)量。